三星将封闭最后的2D NAND产线 革新晋级消费1c DRAM

2月26日消息，据报道，随着存储芯片技术持续迭代，三星正加速告别传统工艺。自2013年率先量产3D V-NAND闪存以来，三星逐步将传统的2D NAND产线转向3D堆叠架构。

时隔十余年，这条技术过渡路线迎来了重要节点：三星最后一条2D NAND产线即将正式退出历史舞台。这条位于华城12号的生产线目前月产能约8万至10万片12英寸晶圆，三星最早将于3月停止其运营。

不过，这并非简单的关停，而是产线角色的转换——它将被改造为DRAM后处理车间，专注于金属布线和表面处理等前端工艺完成后的后续工序。升级之后，该产线将分担华城工厂其他DRAM生产线的工作量，从整体上提升生产效率。

事实上，这一调整早有迹可循。三星电子在去年第四季度的财报中已透露，将从传统工艺向先进工艺过渡，包括停止生产传统的2D NAND。

当前，2D NAND主要应用于U盘等低成本存储设备，但随着3D NAND的普及，市场需求已大幅萎缩，主要NAND厂商均已基本完成向3D闪存的过渡。

此番华城12号线升级完成后，三星的产能布局将更加清晰：华城工厂将全力生产DRAM内存，而平泽工厂则继续兼顾DRAM、NAND生产。

值得注意的是，原本平泽P4产线混用DRAM、NAND和晶圆代工生产，如今新的规划倾向于聚焦1c DRAM的生产。与此同时，三星位于西安的工厂将继续负责NAND生产，并同步推进产线工艺的转换。

三星此次产线调整，不仅是为了优化资源配置，更是为下一代高带宽内存（HBM4）铺路——改造后产出的1c DRAM，正是HBM4的重要基础。根据三星的规划，预计今年下半年，1c DRAM的总晶圆产能将达到每月约20万片。