存储厂一边扩产一边涨价,HBM4较上代跳涨近三成

2月19日消息，据报道，面对持续发酵的全球存储器供应短缺，韩国两大半导体巨头正加速产能布局。

SK海力士计划将原定于2027年5月竣工的龙仁一期晶圆厂，提前至明年初（2—3月）启动试营运；三星电子也拟将平泽P4工厂的投产时间从原计划的第一季度，提前至今年第四季度。

据KB证券数据显示，截至今年2月，三星与SK海力士主要客户的存储器芯片需求满足率仅约60%，短缺程度较去年第四季度进一步加剧。

市场普遍预期，这一供应紧张态势将延续至2027年。花旗集团预测，今年DRAM与NAND闪存供给增速分别为17.5%和16.5%，而需求增速则高达20.1%和21.4%，供需缺口持续扩大。

在高带宽存储器领域，价格博弈同样升温。传三星新一代HBM4报价约为700美元，SK海力士有望跟进这一价格。

这不仅较现有HBM3E高出20%—30%，相较去年8月SK海力士供应给英伟达的HBM4（约550美元），涨幅也接近三成。市场预期，受存储器量价齐升带动，三星与SK海力士今年第一季营业利润有望达到30兆韩元。

与此同时，美国存储器大厂美光科技也加紧扩产步伐。该公司近日宣布，计划在新加坡投资240亿美元扩建晶圆制造厂，以应对全球存储器短缺，加速提升产能供给能力。