总投资20亿元,又一半导体光芯片项目签约：年产值超10亿元

4月9日消息，三菲化合物半导体光芯片制造基地项目近日签约落户太仓市城厢镇，项目计划总投资20亿元。

其中一期项目总投资10亿元，预计今年8月开工建设、2028年投产运营，达产后可实现年产值超10亿元。

上海三菲半导体有限公司长期立足光芯片、电芯片与算法的自主核心技术，拥有稳定出货800万颗/月高端光芯片的经验。

该项目将主要从事磷化铟（InP）激光器和光电探测器芯片、砷化镓（GaAs）激光器芯片的研发与制造。

同时，打造外延生长、光芯片制造、光电融合一体化产业链，产品主要应用于5G通信、数据中心、激光传感等领域。

值得一提的是，光芯片是光通信、数据中心、激光雷达等系统的核心器件。在AI算力驱动下，800G/1.6T光模块必须使用磷化铟做激光器和探测器，传统硅和砷化镓无法满足高频段需求。

据多家机构预测，2026年全球1.6T光模块出货量有望突破1000万只，磷化铟应用迎来爆发前夜，价格也随之飞涨，2英寸磷化铟衬底价格已从800美元涨至2300美元，涨幅达187%。

从产业全局来看，中国光芯片市场正迎来高速增长期。中国光芯片市场规模持续扩大，2023年约137亿元，2025年预计达159亿元以上，全球占比超过30%，处于快速发展的新周期。