三星电子1c DRAM良率升至80%以上 HBM4良率也稳步提拔至近60%

据行业内部消息，三星电子在1c DRAM生产领域取得重大突破，其高温环境下的良率已攀升至80%。这一数据较2025年第四季度60-70%的良率水平实现显著提升，公司内部预计5月前后可进一步突破至90%。该进展标志着三星在先进存储芯片制造工艺上迈出关键一步。

消息人士透露，三星电子针对1c DRAM的热测试环节进行了系统性优化，通过改进材料配方与工艺参数，成功解决了高温环境下晶体管稳定性等核心问题。此前该产品在极端温度条件下的良率波动曾制约产能爬坡，此次技术突破为后续大规模量产奠定基础。

在衍生产品领域，基于1c DRAM架构的HBM4内存同样传来积极信号。行业数据显示，该产品的良率已从去年第四季度的50%提升至近60%，虽然仍低于行业平均水平，但改进速度超出市场预期。HBM4作为新一代高带宽内存，其良率提升将直接影响人工智能训练等高性能计算场景的供货能力。

业内分析认为，三星电子近期在存储芯片领域的连番突破，与其持续加大的研发投入密切相关。据公开资料显示，该公司2025年半导体业务研发预算同比增加23%，重点投向极紫外光刻（EUV）工艺优化与新型材料应用。随着1c DRAM良率持续改善，三星有望在高端存储市场重新夺回技术主动权。