群联CEO预警：DRAM与NAND欠缺或连续至2030年后,花费市局面临深度调剂

群联电子首席执行官潘健成近日发出警告，DRAM内存与NAND闪存的市场短缺状况远超业界预期，且这一结构性供需失衡问题或将延续至2030年后。他指出，当前晶圆代工厂在供应链中占据绝对主导地位，甚至要求客户预付未来三年产能款项，这种前所未有的交易模式凸显了供应端的强势地位。

据行业内部估算，存储芯片短缺局面至少将持续至2030年，部分分析甚至认为危机可能延续十年之久。潘健成特别提到，英伟达即将推出的Vera Rubin AI基础设施及其ICMS平台对存储性能提出严苛要求，仅这一产品线就可能消耗全球超过20%的NAND产能。目前业界尚未充分评估企业级需求激增对消费市场的冲击，一旦相关需求集中释放，消费级产品供应空间将进一步被压缩。

存储芯片短缺对产业链的影响已开始显现。潘健成预测，2025年末至2026年间，将有大量企业因无法保障内存供应而被迫停产或调整产品线。到2026年下半年，低利润品牌将面临大规模淘汰，低端存储产品可能从市场彻底消失，形成明显的供应真空期。这种结构性调整将持续至供应链恢复平衡，届时市场增长才可能重新加速。

AI技术发展对存储行业的颠覆性影响成为关注焦点。潘健成强调，人工智能对DRAM的巨大需求正在重塑产业格局，多个消费细分领域可能遭受严重冲击甚至消失。随着企业级存储需求持续攀升，行业正步入充满变数的深度调整阶段，供应链各环节均需重新评估风险应对策略。