远见智存HBM3 3e芯片发布：带宽达819GB/s,国产HBM范畴迎主要停顿

深圳远见智存科技有限公司近日正式推出其自主研发的HBM3/3e高带宽存储芯片，提供12GB与24GB两种容量选择，带宽性能达到819GB/s，完全符合JEDEC国际标准。这一成果标志着国内企业在高端存储芯片领域取得重要突破，为缓解AI算力体系中的“内存墙”问题提供了新的解决方案。

作为AI算力的核心组件，HBM（高带宽存储）通过垂直堆叠DRAM芯片并采用硅通孔（TSV）技术实现互连，其带宽密度和单位面积容量远超传统DDR内存。随着大模型参数规模突破万亿级，训练与推理任务对内存带宽的需求呈指数级增长，HBM已成为高性能计算系统的标配。据市场研究机构YOLE预测，全球HBM市场规模将在2026年突破460亿美元，2030年接近千亿美元，年复合增长率达33%。

长期以来，全球HBM市场被SK海力士、三星和美光三家企业垄断，占据超过95%的份额。近年来，中国存储产业链通过持续技术攻关，在材料、封装和设计等环节取得显著进展。远见智存此次发布的产品，采用1024bit超宽数据总线设计，相比DDR5的64bit接口实现数量级跃升。其核心创新包括：通过优化电压域设计降低20%功耗，以及采用TSV冗余布局将制造良率提升8%，同等产能下可节省近10%的晶圆成本。

公司技术团队具备深厚行业积淀，自2016年起即参与上一代HBM研发，是目前国内最早涉足该领域的工程团队之一。目前，远见智存在国内布局多个研发中心，核心成员来自美光、尔必达等国际存储厂商，形成“芯片设计+晶圆代工+封装测试”的全链条Fabless模式，供应链完全实现国产化替代。值得注意的是，该公司是少数掌握从DRAM晶粒到基底芯片完整设计链路的企业，持有全部逻辑与存储模块的知识产权。

在应用场景拓展方面，远见智存的产品已覆盖AI训练与推理全流程，并开始向车载计算、边缘设备等新兴领域渗透。针对汽车电子、移动穿戴和具身智能等场景，公司正在开发低功耗、高可靠性的定制化方案，预计未来三年内将推出小容量高带宽产品矩阵。技术路线图显示，该公司计划2027年推出TB级容量的定制化HBM解决方案，2028年实现单颗芯片带宽突破2.5TB/s，2029年探索存内计算架构，推动“计算靠近数据”的技术范式变革。