闪迪启动HBF高带宽闪存样品消费线建立 联袂行业火伴力推AI存储新计划

据韩国科技媒体Etnews最新披露，存储巨头闪迪已正式启动高带宽闪存（HBF）的产业化进程。该企业正在与材料供应商、设备制造商及零部件企业协同构建完整产业链，计划于今年下半年完成首批工程样品生产。

行业知情人士透露，闪迪正以第三季度完成关键设备导入为目标，与多家核心供应商展开技术对接。部分设备厂商已收到采购意向书，涉及晶圆传输、堆叠封装等关键环节。业内预测该生产线将于第四季度进入试运行阶段，2025年正式投入商业量产。

这项被视为AI存储革命的技术方案，其核心架构与高带宽内存（HBM）存在异曲同工之妙。通过将传统NAND闪存芯片进行3D垂直堆叠，配合新型互连技术，在保持非易失性存储特性的同时，将数据带宽提升至现有产品的3倍以上，单颗芯片容量更可突破1TB级别。这种特性使其成为训练大模型等高吞吐场景的理想解决方案。

存储行业正形成技术竞速态势。SK海力士已与闪迪建立联合工作组，重点推进接口协议标准化；三星电子则采取独立研发路线，其32层堆叠试验品已进入可靠性测试阶段。市场研究机构TrendForce指出，HBF技术有望在2026年前占据AI服务器存储市场15%的份额，推动整个存储产业向高带宽方向升级。