三星泰勒2nm逻辑厂加快调试光刻机 平泽P4 DRAM厂推动装备导入与建立

据报道，三星电子半导体部门正全力推进产能扩张，以应对人工智能技术快速发展带来的先进逻辑芯片与存储芯片需求激增。

在逻辑芯片领域，三星位于美国得克萨斯州泰勒市的2纳米晶圆厂已进入关键建设阶段。该工厂EUV光刻机测试工作全面展开，蚀刻与沉积等核心工艺设备正分批次进场安装。根据规划，这座投资数百亿美元的先进制程工厂将于今年内启动试生产，预计到2027年实现月产3万片晶圆的满负荷运转。该项目的推进标志着三星在2纳米制程竞赛中取得重要进展，有望与台积电形成直接竞争。

存储芯片业务方面，三星电子持续加码平泽P4晶圆厂集群建设。最新消息显示，该集群最后两个生产阶段PH2和PH4已获得大规模前端设备订单，将专注于生产支持HBM4至HBM5标准的1c纳米DRAM芯片。其中PH4阶段设备导入工作将于5-6月启动，整体进度领先于其他阶段；PH2阶段洁净室建设已全面展开，装机工作定于11月启动，预计2027年2月完成全部建设。

平泽P4集群现有建设进展顺利：PH1阶段已完成全部投资，PH3阶段设备安装接近尾声，预计年内可实现每月1.3万至1.4万片晶圆的投片量。作为全球最大的半导体生产基地，平泽园区通过分阶段建设模式持续提升产能，其1c纳米DRAM生产线将重点满足人工智能服务器对高带宽内存的旺盛需求。业内分析指出，三星通过同时推进逻辑芯片与存储芯片产能建设，正在构建完整的AI芯片供应链体系。